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Infineon Technologies IPD60R1K0CEATMA1
| Artikelnummer: | IPD60R1K0CEATMA1 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 600V 4.3A TO252-3 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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- Spezifikationen
- Einkaufshandbuch
- Versandinformationen
- Verpackung
-
Infineon Technologies IPD60R1K0CEATMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments IPD60R1K0CEATMA1.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 130µA Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse PG-TO252-3 Serie CoolMOS™ CE Rds On (Max) @ Id, Vgs 1Ohm @ 1.5A, 10V Verlustleistung (max) 37W (Tc) Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 280 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 10 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.3A (Tc) Grundproduktnummer IPD60R IPD60R1K0CEATMA1 Einzelheiten PDF [English] IPD60R1K0CEATMA1 PDF - EN.pdf -
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